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PSMN3R4-30BLE,118

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  • 封裝
  • 批號
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  • 說明
  • 操作
  • PSMN3R4-30BLE,118
    PSMN3R4-30BLE,118

    PSMN3R4-30BLE,118

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • PSMN3R4-30BLE,118
    PSMN3R4-30BLE,118

    PSMN3R4-30BLE,118

  • 深圳市眾芯微電子有限公司
    深圳市眾芯微電子有限公司

    聯系人:陳小姐

    電話:0755-8320801015711992892

    地址:都會軒3607

    資質:營業執照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • D2PAK

  • 18+

  • -
  • MOSFET N-CH 30V D2PA...

  • PSMN3R4-30BLE,118
    PSMN3R4-30BLE,118

    PSMN3R4-30BLE,118

  • 天陽誠業科貿有限公司
    天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪寶宇

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質:營業執照

  • 367010

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -
  • PSMN3R4-30BLE,118
    PSMN3R4-30BLE,118

    PSMN3R4-30BLE,118

  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯系人:洪寶宇

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505(京北通宇)

    資質:營業執照

  • 367010

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

  • -
  • PSMN3R4-30BLE,118
    PSMN3R4-30BLE,118

    PSMN3R4-30BLE,118

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • NXP

  • 原廠封裝

  • 最新批號

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  • 代理此型號.原裝特價現貨!

  • PSMN3R4-30BLE,118
    PSMN3R4-30BLE,118

    PSMN3R4-30BLE,118

  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯系人:王小姐

    電話:13969210552

    地址:上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室

  • 367010

  • NEXPERIA

  • con

  • 24+

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  • 現貨常備京北通宇商城可查價格

  • PSMN3R4-30BLE,118
    PSMN3R4-30BLE,118

    PSMN3R4-30BLE,118

  • 深圳市海天鴻電子科技有限公司
    深圳市海天鴻電子科技有限公司

    聯系人:彭小姐、劉先生、李小姐

    電話:0755-82552857-80913528851884(周日專線)

    地址:深圳市福田區中航路中航北苑大廈A座22A3號

    資質:營業執照

  • 7500

  • NXP

  • 原廠原裝

  • 1725+

  • -
  • 只做原裝 一手貨源,代理商分銷庫存

  • PSMN3R4-30BLE,118
    PSMN3R4-30BLE,118

    PSMN3R4-30BLE,118

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯系人:李先生

    電話:0755-8308997518573537851

    地址:深圳市福田區中航路42號中航北苑大廈C座6C3

    資質:營業執照

  • 800

  • Nexperia

  • 2136

  • -
  • PSMN3R4-30BLE,118
    PSMN3R4-30BLE,118

    PSMN3R4-30BLE,118

  • 科創特電子(香港)有限公司
    科創特電子(香港)有限公司

    聯系人:

    電話:0755-83014603

    地址:深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907

  • 800

  • NEXPERIA

  • 主營優勢

  • 19+

  • -
  • 100%原裝正品★終端免費供樣★

  • PSMN3R4-30BLE,118
    PSMN3R4-30BLE,118

    PSMN3R4-30BLE,118

  • 深圳市鵬威爾科技有限公司
    深圳市鵬威爾科技有限公司

    聯系人:胡慶偉

    電話:13138879988

    地址:深圳市寶安區新安街道翻身路117號 富源商貿中心D棟601

  • 100

  • NEX

  • ORIGONAL

  • 16+

  • -
  • 0.70092 USD,szpoweri...

  • 1/1頁 40條/頁 共14條 
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PSMN3R4-30BLE,118 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • PSMN3R4-30BLE/D2PAK/REEL13// - Tape and Reel
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 30V D2PAK
PSMN3R4-30BLE,118 技術參數
  • PSMN3R4-30BL,118 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):100A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):64nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):3907pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):114W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.3 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標準包裝:1 PSMN3R3-80PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):80V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):120A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):139nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):9961pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散(最大值):338W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.3 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 PSMN3R3-80ES,127 功能描述:MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):80V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):120A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):139nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):9961pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散(最大值):338W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.3 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:I2PAK 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 標準包裝:50 PSMN3R3-80BS,118 功能描述:MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):80V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):120A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):111nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):8161pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散(最大值):306W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.5 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標準包裝:1 PSMN3R3-60PLQ 功能描述:MOSFET N-CH 60V 130A TO-220 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):130A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):95nC @ 5V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):10115pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):293W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.4 毫歐 @ 25A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 PSMN3R8-30LL,115 PSMN3R9-25MLC,115 PSMN3R9-60PSQ PSMN3R9-60XSQ PSMN4R0-25YLC,115 PSMN4R0-30YL,115 PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-40YS,115 PSMN4R0-60YS,115 PSMN4R1-30YLC,115 PSMN4R1-60YLX PSMN4R2-30MLDX PSMN4R2-60PLQ PSMN4R3-100ES,127 PSMN4R3-100PS,127 PSMN4R3-30BL,118 PSMN4R3-30PL,127 PSMN4R3-80ES,127
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