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PSMN4R3-100ES

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • PSMN4R3-100ES,127
    PSMN4R3-100ES,127

    PSMN4R3-100ES,127

  • 深圳市海天鴻電子科技有限公司
    深圳市海天鴻電子科技有限公司

    聯系人：彭小姐、劉先生、李小姐

    電話：0755-82552857-80913528851884（周日專線）

    地址：深圳市福田區中航路中航北苑大廈A座22A3號

    資質：營業執照

  • 7500

  • NXP

  • 原廠原裝

  • 1706+

  • -

  • 只做原裝 一手貨源，代理商分銷庫存

  • PSMN4R3-100ES,127
    PSMN4R3-100ES,127

    PSMN4R3-100ES,127

  • 深圳市眾芯微電子有限公司
    深圳市眾芯微電子有限公司

    聯系人：陳小姐

    電話：0755-8320801015711992892

    地址：都會軒3607

    資質：營業執照

  • 90000

  • NXP Semiconductors

  • I2PAK

  • 18+

  • -

  • MOSFET N-CH 100V 120...

  • PSMN4R3-100ES
    PSMN4R3-100ES

    PSMN4R3-100ES

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯系人：張小姐

    電話：15961889150

    地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號

    資質：營業執照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • I2PAK/TO-262

  • 25+

  • -

  • 國產品牌，替代進口

  • PSMN4R3-100ES,127
    PSMN4R3-100ES,127

    PSMN4R3-100ES,127

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質：營業執照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • PSMN4R3-100ES
    PSMN4R3-100ES

    PSMN4R3-100ES

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業執照

  • 127

  • 5

  • 1521+

  • NXP SEMIC

  • -

  • TUBE

  • PSMN4R3-100ES
    PSMN4R3-100ES

    PSMN4R3-100ES

  • 深圳市億聯芯電子科技有限公司
    深圳市億聯芯電子科技有限公司

    聯系人：吳經理

    電話：18138401919

    地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31

  • 69880

  • NEXPERIA/安世

  • SOT226

  • 2021+

  • -

  • ★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

  • PSMN4R3-100ES
    PSMN4R3-100ES

    PSMN4R3-100ES

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • NXP

  • TO-262

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現貨！

  • 1/1頁 40條/頁 共23條 
  • 1
PSMN4R3-100ES PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 制造商
  • PHILIPS
  • 制造商全稱
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • N-channel 100 V 4.3 mΩ standard level MOSFET in I2PAK
PSMN4R3-100ES 技術參數
  • PSMN4R2-60PLQ 功能描述:MOSFET N-CH 60V 130A TO-220 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:130A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:151nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:8533pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:263W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.9 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 PSMN4R2-30MLDX 功能描述:MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:70A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:29.3nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1795pF @ 15V FET 功能:肖特基二極管（體） 功率耗散（最大值）:65W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.3 毫歐 @ 25A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線） 標準包裝:1 PSMN4R1-30YLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 90A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:92A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.95V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:23nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1502pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:67W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.35 毫歐 @ 20A，10V 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 PSMN4R0-60YS,115 功能描述:MOSFET N-CH 60V 74A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:74A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:56nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3501pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:130W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 PSMN4R0-40YS,115 功能描述:MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:38nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:2410pF @ 20V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:106W（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.2 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:LFPAK56，Power-SO8 封裝/外殼:SC-100，SOT-669 標準包裝:1 PSMN4R5-30YLC,115 PSMN4R5-40BS,118 PSMN4R5-40PS,127 PSMN4R6-100XS,127 PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60PS,127 PSMN4R8-100BSEJ PSMN4R8-100PSEQ PSMN5R0-100ES,127 PSMN5R0-100PS,127 PSMN5R0-100XS,127 PSMN5R0-30YL,115 PSMN5R0-80BS,118 PSMN5R0-80PS,127 PSMN5R2-60YLX PSMN5R3-25MLDX PSMN5R4-25YLDX PSMN5R5-60YS,115
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