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SIR864DP-T1-GE3/BKN

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SIR864DP-T1-GE3/BKN 技術(shù)參數(shù)

SIR67-21C/TR8 功能描述:Infrared (IR) Emitter 875nm 1.3V 65mA 0.5mW/sr @ 20mA 120° 2-SMD, J-Lead 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效類(lèi)型:紅外線電流 - DC 正向（If）:65mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度（Ie）（最小值）:0.5mW/sr @ 20mA 波長(zhǎng):875nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.3V 視角:120° 朝向:通用工作溫度:-25°C ~ 85°C（TA）安裝類(lèi)型:表面貼裝封裝/外殼:2-SMD，J 形引線標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 SIR-56ST3FF 功能描述:Infrared (IR) Emitter 950nm 1.3V 100mA 5.6mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效類(lèi)型:紅外（IR）電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度（Ie）（最小值）:5.6mW/sr @ 50mA 波長(zhǎng):950nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.3V 視角:30° 朝向:頂視圖工作溫度:-25°C ~ 85°C（TA）安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:T 1 3/4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 SIR-568ST3F 功能描述:Infrared (IR) Emitter 850nm 1.6V 100mA 18mW/sr @ 50mA 26° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效類(lèi)型:紅外（IR）電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度（Ie）（最小值）:18mW/sr @ 50mA 波長(zhǎng):850nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.6V 視角:26° 朝向:頂視圖工作溫度:-25°C ~ 85°C（TA）安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:T 1 3/4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 SIR-563ST3FM 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.34V 100mA 9mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效類(lèi)型:紅外（IR）電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度（Ie）（最小值）:9mW/sr @ 50mA 波長(zhǎng):940nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.34V 視角:30° 朝向:頂視圖工作溫度:-25°C ~ 85°C（TA）安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:T 1 3/4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 SIR-505STA47F 功能描述:Infrared (IR) Emitter 950nm 1.38V 100mA 5.6mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):有效類(lèi)型:紅外（IR）電流 - DC 正向（If）:100mA 不同 If 時(shí)的輻射強(qiáng)度（Ie）（最小值）:5.6mW/sr @ 50mA 波長(zhǎng):950nm 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:1.38V 視角:30° 朝向:頂視圖工作溫度:-25°C ~ 85°C（TA）安裝類(lèi)型:通孔封裝/外殼:T 1 3/4 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 SIR874DP-T1-GE3 SIR876ADP-T1-GE3 SIR876DP-T1-GE3 SIR878ADP-T1-GE3 SIR878BDP-T1-RE3 SIR878DP-T1-GE3 SIR880ADP-T1-GE3 SIR880DP-T1-GE3 SIR882ADP-T1-GE3 SIR882DP-T1-GE3 SIR888DP-T1-GE3 SIR890DP-T1-GE3 SIR892DP-T1-GE3 SIR928-6C-F SIRA00DP-T1-GE3 SIRA00DP-T1-RE3 SIRA01DP-T1-GE3 SIRA02DP-T1-GE3

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