- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄368618 > SI6965DQ (Vishay Intertechnology,Inc.) P-Channel 2.5-V (G-S) Battery Switch PDF資料下載
參數資料
| 型號： | SI6965DQ |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | P-Channel 2.5-V (G-S) Battery Switch |
| 中文描述： | P通道的2.5 V（GS）的電池開關 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 53K |
| 代理商： | SI6965DQ |
Si6965DQ
Vishay Siliconix
Document Number: 70798
S-56943—Rev. B, 02-Nov-98
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-1
P-Channel 2.5-V (G-S) Battery Switch
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
–20
0.035 @ V
GS
= –4.5 V
0.060 @ V
GS
= –2.5 V
5.0
3.9
Si6965DQ
D
S
1
S
1
G
1
1
2
3
4
8
7
6
5
D
S
2
S
2
G
2
TSSOP-8
Top View
S
1
G
1
D
P-Channel MOSFET
S
2
G
2
D
P-Channel MOSFET
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
–20
V
Gate-Source Voltage
V
GS
12
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a, b
T
A
= 25 C
I
D
5.0
A
T
A
= 70 C
4.0
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a, b
I
DM
I
S
30
–1.5
Maximum Power Dissipation
a, b
T
A
= 25 C
T
A
= 70 C
P
D
1.5
W
0.96
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
MaximumJunction-to-Ambient
Maximum Junction-to-Ambient
a
t
10 sec
R
thJA
83
C/W
Steady State
85
Notes
a.
b.
Surface Mounted on FR4 Board.
t
10 sec.
For SPICE model information via the Worldwide Web: http://www.vishay.com/www/product/spice.htm
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI6966EDQ | N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET, ESD Protected |
| SI6966 | Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| SI6966DQ | Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| SI6968BEDQ | Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection |
| SI6968BEDQ-T1 | Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SI6965DQ-T1 | 功能描述:MOSFET 20V 5A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI6965DQ-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 5A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI6966 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET |
| SI6966DQ | 功能描述:MOSFET TSSOP8 DUAL NCH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI6966DQ-T1 | 功能描述:MOSFET 20V 4.5A 1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。