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STD770BLK

配單專家企業名單
  • 型號
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  • 數量
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  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
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STD770BLK PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • LED 安裝硬件 .2" DIA X .77" BLACK
  • RoHS
  • 制造商
  • Bivar
  • 產品
  • LED Mounting Clips
  • LED 大小
  • 5 mm
  • 材料
  • Nylon
  • 顏色
  • Black
  • 主體長度
  • 4.4 mm
  • 面板厚度尺寸
  • 封裝
  • Bulk
STD770BLK 技術參數
  • STD75N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 75A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VI 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):75A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5.5 毫歐 @ 37.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1690pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD724T4 功能描述:TRANS NPN 30V 3A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.1V @ 150mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):80 @ 1A,2V 功率 - 最大值:15W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD70NS04ZL 功能描述:MOSFET N-CH 33V 70A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SAFeFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):33V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):70A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10.5 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):32nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1800pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD70NH02LT4 功能描述:MOSFET N-CH 24V 60A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):24V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):60A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):22nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2050pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD70N6F3 功能描述:MOSFET N-CH 60V 70A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):70A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10.5 毫歐 @ 35A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):35nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2200pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD7N90K5 STD7NK30Z STD7NK40ZT4 STD7NM50N STD7NM50N-1 STD7NM60N STD7NM64N STD7NM80 STD7NM80-1 STD7NS20T4 STD80N10F7 STD80N4F6 STD80N6F6 STD815CP40 STD826T4 STD830CP40 STD840DN40 STD845DN40
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