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STD850WHT

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STD850WHT 技術參數
  • STD845DN40 功能描述:TRANS 2NPN 400V 4A 8DIP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 晶體管類型:2 NPN(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):4A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 1A,4A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):12 @ 2A,5V 功率 - 最大值:3W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應商器件封裝:8-DIP 標準包裝:50 STD840DN40 功能描述:TRANS 2NPN 400V 4A 8DIP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 晶體管類型:2 NPN(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):4A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 400mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):8 @ 2A,5V 功率 - 最大值:3W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應商器件封裝:8-DIP 標準包裝:50 STD830CP40 功能描述:TRANS NPN/PNP 400V 3A 8DIP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN,PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 200mA,1A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):18 @ 700mA,5V 功率 - 最大值:3W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應商器件封裝:8-DIP 標準包裝:50 STD826T4 功能描述:TRANS PNP 30V 3A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):3A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.1V @ 150mA,3A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,2V 功率 - 最大值:15W 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD815CP40 功能描述:TRANS NPN/PNP 400V 1.5A 8DIP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN,PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):1.5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1V @ 50mA,350mA 電流 - 集電極截止(最大值):1mA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):16 @ 350mA,5V 功率 - 最大值:2.6W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應商器件封裝:8-DIP 標準包裝:50 STD8NM50N STD8NM60N STD8NM60N-1 STD8NM60ND STD901T STD90N02L STD90N02L-1 STD90N03L STD90N03L-1 STD90N4F3 STD90NH02LT4 STD90NS3LLH7 STD95N04 STD95N2LH5 STD95N3LLH6 STD95N4F3 STD95N4LF3 STD95NH02LT4
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