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STD882D

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  • 型號
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  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • STD882D
    STD882D

    STD882D

  • 深圳市奧偉斯科技有限公司
    深圳市奧偉斯科技有限公司

    聯系人:江小姐 ADS觸摸芯片一級代理

    電話:0755-83254770

    地址:深南中路3006號佳和華強大廈A座7樓整層

    資質:營業執照

  • 30000

  • ST

  • 252/251

  • 18+

  • -
  • 長期供應

  • STD882D
    STD882D

    STD882D

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • KODENSHIA

  • TO-252

  • 最新批號

  • -
  • 代理此型號,原裝正品現貨!

  • STD882D
    STD882D

    STD882D

  • 北京首天偉業科技有限公司
    北京首天偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業執照

  • 5000

  • ST

  • TO-252/D-PAK

  • 08/09+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共14條 
  • 1
STD882D PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • AUK
  • 制造商全稱
  • AUK corp
  • 功能描述
  • NPN Silicon Transistor
STD882D 技術參數
  • STD878T4 功能描述:TRANS NPN 30V 5A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):5A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):30V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):350mV @ 50mA,2A 電流 - 集電極截止(最大值):10μA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 500mA,1V 功率 - 最大值:15W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD86N3LH5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):14nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1850pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD85N3LH5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):14nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1850pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD85N10F7AG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 70A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):70A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3100pF @ 50V 功率 - 最大值:85W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 STD845DN40 功能描述:TRANS 2NPN 400V 4A 8DIP 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件 零件狀態:過期 晶體管類型:2 NPN(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):4A 電壓 - 集射極擊穿(最大值):400V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):500mV @ 1A,4A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):12 @ 2A,5V 功率 - 最大值:3W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:8-DIP(0.300",7.62mm) 供應商器件封裝:8-DIP 標準包裝:50 STD901T STD90N02L STD90N02L-1 STD90N03L STD90N03L-1 STD90N4F3 STD90NH02LT4 STD90NS3LLH7 STD95N04 STD95N2LH5 STD95N3LLH6 STD95N4F3 STD95N4LF3 STD95NH02LT4 STD96N3LLH6 STD9HN65M2 STD9N40M2 STD9N60M2
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