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STGB7NB60FDT4

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廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

STGB7NB60FDT4
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
原廠品牌
標準封裝
09/10+
-

STGB7NB60FDT4
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
ST
原廠原裝
15+
-
原裝正品，假一罰十

STGB7NB60FDT4
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
NULL
NULL
09/10+
-
全新原裝100%正品保證質量

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功能描述
IGBT 晶體管 N-Ch 600 Volt 7 Amp
RoHS
否
制造商
Fairchild Semiconductor
配置
集電極—發射極最大電壓 VCEO
650 V
集電極—射極飽和電壓
2.3 V
柵極/發射極最大電壓
20 V
在25 C的連續集電極電流
150 A
柵極—射極漏泄電流
400 nA
功率耗散
187 W
最大工作溫度
封裝 / 箱體
TO-247
封裝
Tube

STGB7NB60FDT4 技術參數

STGB7H60DF 功能描述:IGBT 600V 14A 88W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:14A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):28A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.95V @ 15V，7A 功率 - 最大值:88W 開關能量:99μJ（開），100μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:46nC 25°C 時 Td（開/關）值:30ns/160ns 測試條件:400V，7A，47 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:136ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-263（D2Pak）標準包裝:1 STGB6NC60HT4 功能描述:IGBT 600V 15A 56W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:15A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):21A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，3A 功率 - 最大值:56W 開關能量:20μJ（開），68μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:13.6nC 25°C 時 Td（開/關）值:12ns/76ns 測試條件:390V，3A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB6NC60HDT4 功能描述:IGBT 600V 15A 56W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:15A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):21A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，3A 功率 - 最大值:56W 開關能量:20μJ（開），68μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:13.6nC 25°C 時 Td（開/關）值:12ns/76ns 測試條件:390V，3A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:21ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB6NC60HD-1 功能描述:IGBT 600V 15A 56W I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件零件狀態:過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:15A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):21A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，3A 功率 - 最大值:56W 開關能量:20μJ（開），68μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:13.6nC 25°C 時 Td（開/關）值:12ns/76ns 測試條件:390V，3A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:21ns 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 安裝類型:通孔供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:1,000 STGB5H60DF 功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):20A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.95V @ 15V，5A 功率 - 最大值:88W 開關能量:56μJ（開），78.5μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:43nC 25°C 時 Td（開/關）值:30ns/140ns 測試條件:400V，5A，47 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:134.5ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGD10NC60HDT4 STGD10NC60HT4 STGD10NC60KDT4 STGD10NC60KT4 STGD10NC60SDT4 STGD10NC60ST4 STGD1100LT1G STGD14NC60KT4 STGD18N40LZ-1 STGD18N40LZT4 STGD19N40LZ STGD20N40LZ STGD20N45LZAG STGD25N40LZAG STGD3HF60HDT4 STGD3NB60FT4 STGD3NB60HDT4 STGD3NB60SD-1