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STH2007TBR

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STH2007TBR?
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
聯系人：李林
電話：0755-8251939113714584659李先生（可開13%增票，3
地址：深圳市福田區華強北電子科技大夏A座36樓C09
資質：營業執照
18210
ST
BGA
24+
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全新原裝正品現貨特價

STH2007TBR
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
ST
BGA
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★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

STH2007TBR
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
ST
BGA36
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

STH2007TBR
北京力通科信電子有限公司
北京力通科信電子有限公司
聯系人：韓小姐
電話：13661385246
地址：北京市海淀區知春路118號知春大廈B座1504室，新中發電子市場B1303-b1305柜臺
3000
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BGA
10+
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100%公司原裝現貨只做原裝 1366...

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STH2007TBR PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STH2007TBR 技術參數

STH-20 功能描述:Fiber Optic Kit 4-40, 6-32, 8-23 Male-Female Hex Threaded Standoff, Screws 325 pcs - 25 ea of 10 Standoffs, 3 sizes Screws 制造商:keystone electronics 系列:- 包裝:塑料柜零件狀態:有效套件類型:4-40，6-23，8-32 公型-母型六角形鏍紋支座，螺釘數值:325 件 - 10 個支架，3 種尺寸的螺釘，各 25 件標準包裝:1 STH-19 功能描述:Fiber Optic Kit 4-40, 6-32, 8-32 Male-Female Hex Brass Zinc Plated Threaded Standoff 750 pcs - 50 ea of 1/2", 3/4", 1", 1 1/4", 1 1/2" 制造商:keystone electronics 系列:- 包裝:塑料柜零件狀態:有效套件類型:4-40，6-32，8-32 公型-母型六角形黃銅鍍鋅鏍紋支座數值:750 件 - 1/2"，3/4"，1"，1 1/4"，1 1/2"，各 50 件標準包裝:1 STH185N10F3-6 功能描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，STripFET? F3 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.5 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:114.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6665pF @ 25V 功率 - 最大值:315W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片）供應商器件封裝:H2PAK-6 標準包裝:1 STH185N10F3-2 功能描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F3 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.5 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:114.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6665pF @ 25V 功率 - 最大值:315W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 凸片）變型供應商器件封裝:H2PAK 標準包裝:1 STH180N10F3-6 功能描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:180A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.5 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:114.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6665pF @ 25V 功率 - 最大值:315W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片）供應商器件封裝:H2PAK 標準包裝:1 STH260N6F6-2 STH260N6F6-6 STH265N6F6-2AG STH265N6F6-6AG STH270N4F3-2 STH270N4F3-6 STH270N8F7-2 STH270N8F7-6 STH272N6F7-6AG STH275N8F7-2AG STH275N8F7-6AG STH290N4F6-2 STH290N4F6-2AG STH290N4F6-6 STH290N4F6-6AG STH300NH02L-6 STH310N10F7-2 STH310N10F7-6