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STP1H100U

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

STP1H100U
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
聯(lián)系人：李林
電話：0755-8251939113714584659李先生（可開13%增票，3
地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北電子科技大夏A座36樓C09
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
18530
STMicroelect
DO-214..
24+
-
全新原裝正品現(xiàn)貨

STP1H100U
深圳市源運(yùn)電子商行
深圳市源運(yùn)電子商行
聯(lián)系人：林先生
電話：15913992480
地址：深圳市龍崗區(qū)板田街道荔園新村55棟1樓
30000
STMicroelect
DO-214AA
16+
-
原裝公司現(xiàn)貨

STP1H100U
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
聯(lián)系人：馬先生
電話：19166264056
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室
30000
VISHAY
DO-214AA
全新環(huán)保批次
-
授權(quán)代理直銷,原廠原裝現(xiàn)貨,假一罰十,特...

STP1H100U
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
聯(lián)系人：許先生
電話：18898761413
地址：華強(qiáng)北都會軒4507
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
30000
ST/意法
DO-214AA
24+
-
優(yōu)勢供應(yīng) 品質(zhì)保障可開13點(diǎn)發(fā)票

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您是不是要找： STP1N105K3 STP200N3LL STP200N4F3 STP200N6F3 STP200NF03 STP200NF04 STP200NF04L STP20N20 STP20N60M2-EP

STP1H100U PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

STP1H100U 技術(shù)參數(shù)

STP19NM65N 功能描述:MOSFET N-CH 650V 15.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:15.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:270 毫歐 @ 7.75A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:55nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1900pF @ 50V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STP19NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 14A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:14A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:250 毫歐 @ 7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1000pF @ 50V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP19NF20 功能描述:MOSFET N-CH 200V 15A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:15A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 7.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:24nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:800pF @ 25V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP19NB20 功能描述:MOSFET N-CH 200V 19A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:19A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 9.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:40nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1000pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP190N55LF3 功能描述:MOSFET N-CH 55V 120A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.7 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:80nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6200pF @ 25V 功率 - 最大值:312W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP20N65M5 STP20N90K5 STP20N95K5 STP20NE06L STP20NF06 STP20NF06L STP20NF20 STP20NK50Z STP20NM50 STP20NM50FD STP20NM50FP STP20NM60 STP20NM60A STP20NM60FD STP20NM60FP STP20NM65N STP210N75F6 STP21N65M5