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STP20NM50FD/STP20NM50FP

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  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 60000

  • ST

  • TO-220F

  • 13+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

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  • 1
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STP20NM50FD/STP20NM50FP 技術(shù)參數(shù)
  • STP20NM50FD 功能描述:MOSFET N-CH 500V 20A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):250 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):53nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1380pF @ 25V 功率 - 最大值:192W 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP20NM50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 20A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):250 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):56nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1480pF @ 25V 功率 - 最大值:192W 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP20NK50Z 功能描述:MOSFET N-CH 500V 17A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):17A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):270 毫歐 @ 8.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):119nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2600pF @ 25V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:-50°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP20NF20 功能描述:MOSFET N-CH 200V 18A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):18A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):125 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):39nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):940pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP20NF06L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 20A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):20A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):70 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):7.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):400pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP21NM50N STP21NM60N STP21NM60ND STP220N6F7 STP22NF03L STP22NM60N STP22NS25Z STP23N80K5 STP23NM50N STP23NM60N STP23NM60ND STP240N10F7 STP24DP05BTR STP24N60DM2 STP24N60M2 STP24N65M2 STP24NF10 STP24NM60N
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