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STV5725DT

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    STV5725DT

    STV5725DT

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

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  • STV5725DT
    STV5725DT

    STV5725DT

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 5000

  • ST

  • SMD

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  • 1
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STV5725DT 技術參數
  • STV-5700C-D02 功能描述:VC5700 - Image Sensor Sensor Evaluation Board 制造商:stmicroelectronics 系列:- 零件狀態:過期 傳感器類型:圖像傳感器 感應范圍:- 接口:USB 靈敏度:- 電壓 - 電源:- 嵌入式:否 所含物品:板 使用的 IC/零件:VC5700 標準包裝:5 STV5348D 功能描述:等離子體驅動器 Teletext/VPS Decoder RoHS:否 制造商:STMicroelectronics STV5348 功能描述:等離子體驅動器 Teletext/VPS Decoder RoHS:否 制造商:STMicroelectronics STV300NH02L 功能描述:MOSFET N-CH 24V 280A POWERSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):24V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):200A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1 毫歐 @ 80A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):109nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7055pF @ 15V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤 供應商器件封裝:10-PowerSO 標準包裝:1 STV270N4F3 功能描述:MOSFET N-CH 40V 270A POWERSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):270A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.5 毫歐 @ 80A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):150nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7500pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤 供應商器件封裝:10-PowerSO 標準包裝:1 STV-676/502S-R01 STV-676-E01 STV-684-E02 STV8131 STV8163 STV8164 STV8206 STV8216 STV-974/552S-R01 STV-974/552S-R02 STV-H11-F/CO-G STVM100DC6F STVM100DS6F STW0101N STW0201N STW10N105K5 STW10N95K5 STW10NK60Z
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