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2DB1132R-13

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功能描述
兩極晶體管 - BJT 1000W -32Vceo
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶體管極性
PNP
集電極—基極電壓 VCBO
集電極—發射極最大電壓 VCEO
- 40 V
發射極 - 基極電壓 VEBO
- 6 V
集電極—射極飽和電壓
最大直流電集電極電流
增益帶寬產品fT
直流集電極/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作溫度
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
PowerFLAT 2 x 2

2DB1132R-13 技術參數

2DB1132Q-13 功能描述:TRANS PNP 32V 1A SOT89-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:190MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89-3 標準包裝:1 2DB1132P-13 功能描述:TRANS PNP 32V 1A SOT89-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:500nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:82 @ 100mA，3V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:190MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89-3 標準包裝:1 2DB1119S-13 功能描述:TRANS PNP 25V 1A SOT89-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:25V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:700mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:140 @ 50mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:200MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89-3 標準包裝:2,500 2DB102K 功能描述:NTC Thermistor 1k Disc, 5.1mm Dia x 0.6mm W 制造商:ametherm 系列:- 包裝:散裝零件狀態:要求報價 25°C 時歐姆阻值:1k 電阻容差:±10% B 值容差:- B0/50:- B25/50:- B25/75:- B25/85:- B25/100:- 工作溫度:-55°C ~ 300°C 功率 - 最大值:- 長度 - 引線:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:Disc, 5.1mm Dia x 0.6mm W 標準包裝:1,000 2DB102J-EC 功能描述:NTC Thermistor 1k Disc, 5.1mm Dia x 0.6mm W 制造商:ametherm 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效 25°C 時歐姆阻值:1k 電阻容差:±10% B 值容差:- B0/50:- B25/50:- B25/75:- B25/85:- B25/100:- 工作溫度:-55°C ~ 300°C 功率 - 最大值:- 長度 - 引線:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:Disc, 5.1mm Dia x 0.6mm W 標準包裝:1,000 2DB151K 2DB1689-7 2DB1694-7 2DB1697-13 2DB1713-13 2DB1714-13 2DB-52P 2DB-52PA156 2DB-52PA156A183 2DB-52PA183 2DB52PBR 2DB52PBRP 2DB52P-F0 2DB-52PF171 2DB-52PF171F0 2DB-52PF172 2DB-52PF172F0 2DB-52PF173