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2N4858

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制造商
Microsemi Corporation
功能描述
N CHANNEL MOSFET, TO-18, LAW - Bulk
制造商
Solid State Devices Inc (SSDI)
功能描述
TRANSISTORJFET N CH40VTO18

2N4858 技術參數

2N4857UB 功能描述:N CHANNEL JFET 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N4857JTXV02 功能描述:JFET N-CH 40V 360MA TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態:生命周期結束 FET 類型:- 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:- 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:- 標準包裝:40 2N4857JTXL02 功能描述:JFET N-CH 40V 360MA TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:- 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:- 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:- 標準包裝:40 2N4857JTX02 功能描述:JFET N-CH 40V 360MA TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態:生命周期結束 FET 類型:- 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:- 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:- 標準包裝:40 2N4857JAN02 功能描述:JFET N-CH 40V 360MA TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態:生命周期結束 FET 類型:- 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:- 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:- 標準包裝:40 2N4859JTX02 2N4859JTXL02 2N4859JTXV02 2N4859UB 2N4860 2N4860JAN02 2N4860JTX02 2N4860JTXL02 2N4860JTXV02 2N4860UB 2N4861JAN02 2N4861JTX02 2N4861JTXL02 2N4861JTXV02 2N4864 2N4865 2N4870 2N4871