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2N486

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制造商
未知廠家
制造商全稱
未知廠家
功能描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 12V V(BR)CEO | 10MA I(C) | TO-5

2N486 技術參數

2N4859UB 功能描述:N CHANNEL JFET 制造商:microsemi ire division 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 2N4859JTXV02 功能描述:JFET N-CH 30V 360MW TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態:生命周期結束 FET 類型:- 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:- 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:- 標準包裝:40 2N4859JTXL02 功能描述:JFET N-CH 30V 360MW TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態:生命周期結束 FET 類型:- 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:- 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:- 標準包裝:40 2N4859JTX02 功能描述:JFET N-CH 30V 360MW TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態:生命周期結束 FET 類型:- 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:- 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:- 標準包裝:40 2N4859JAN02 功能描述:JFET N-CH 30V 360MW TO-18 制造商:vishay siliconix 系列:- 包裝:管件零件狀態:生命周期結束 FET 類型:- 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:- 漏源極電壓（Vdss）:- 不同 Vds（Vgs=0）時的電流 - 漏極（Idss）:- 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止（VGS 關）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 電阻 - RDS（開）:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-206AA，TO-18-3 金屬罐供應商器件封裝:TO-206AA（TO-18）功率 - 最大值:- 標準包裝:40 2N4861JTXV02 2N4864 2N4865 2N4870 2N4871 2N4895 2N4898 2N4899 2N4900 2N4901 2N4903 2N4905 2N4906 2N4910 2N4911 2N4913 2N4914 2N4918