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2SA2097

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制造商
TOSHIBA
制造商全稱
Toshiba Semiconductor
功能描述
High-Speed Swtching Applications DC-DC Converter Applications

2SA2097 技術參數

2SA2094TLQ 功能描述:TRANS PNP 60V 2A TSMT3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-96 供應商器件封裝:TSMT3 標準包裝:1 2SA2093TV2Q 功能描述:TRANS PNP 60V 2A 3PIN ATV 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:2A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:310MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:3-SIP 供應商器件封裝:ATV 標準包裝:2,500 2SA2092TLR 功能描述:TRANS PNP 60V 1A TSMD3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-96 供應商器件封裝:TSMT3 標準包裝:3,000 2SA2092TLQ 功能描述:TRANS PNP 60V 1A TSMD3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:Not Recommended For New Designs 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:120 @ 100mA，2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:300MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-96 供應商器件封裝:TSMT3 標準包裝:3,000 2SA2090TLR 功能描述:TRANS PNP 60V 0.5A TSMD3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 10mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:180 @ 50mA，2V 功率 - 最大值:500mW 頻率 - 躍遷:400MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-96 供應商器件封裝:TSMT3 標準包裝:3,000 2SA2126-E 2SA2126-H 2SA2126-S-TL-E 2SA2126-TL-E 2SA2126-TL-H 2SA2127 2SA2127-AE 2SA21400P 2SA21400Q 2SA2151 2SA2151A 2SA2153-TD-E 2SA2154CT-GR,L3F 2SA2154CT-Y(TPL3) 2SA2154MFV-GR(TPL3 2SA2161G0L 2SA2161J0L 2SA216200L