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BSR31

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BSR31,115
科創特電子（香港）有限公司
科創特電子（香港）有限公司
聯系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907
9000
NEXPERIA
價格優勢
2407
-
全新原裝渠道現貨

BSR31
深圳市澤芯微科技有限公司
深圳市澤芯微科技有限公司
聯系人：柯小姐
電話：0755-8273028382732023
地址：中航路新亞洲國利大廈A座24層12室
4000
nxp
sot-89
1150+
-
原裝現貨

BSR315PH6327XTSA1
深圳市鵬威爾科技有限公司
深圳市鵬威爾科技有限公司
聯系人：胡慶偉
電話：13138879988
地址：深圳市寶安區新安街道翻身路117號富源商貿中心D棟601
6000
INF
ORIGONAL
16+
-
0.10384 USD,szpoweri...

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BSR31 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BSR31 PDF下載

制造商
PHILIPS
制造商全稱
NXP Semiconductors
功能描述
PNP medium power transistors

BSR31 技術參數

BSR30F 功能描述:BSR30/SOT89/MPT3 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:在售晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 100mA，5V 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89 標準包裝:4,000 BSR302NL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3.7A SC-59 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.7A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:23 毫歐 @ 3.7A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 30μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:6.6nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:750pF @ 15V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SC-59 標準包裝:1 BSR30,115 功能描述:TRANS PNP 60V 1A SOT89 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 100mA，5V 功率 - 最大值:1.35W 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89-3 基本零件編號:BSR30 標準包裝:1 BSR202NL6327HTSA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 3.8A SC-59 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.8A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 30μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:8.8nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1147pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:500mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:21 毫歐 @ 3.8A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-SC-59 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 BSR202N L6327 功能描述:MOSFET N-CH 20V 3.8A SC-59 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.8A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:21 毫歐 @ 3.8A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 30μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1147pF @ 10V 功率 - 最大值:500mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SC-59 標準包裝:1 BSR33QTA BSR33TA BSR41,115 BSR41F BSR43,115 BSR43TA BSR50 BSR50_D74Z BSR50_J35Z BSR56 BSR56,215 BSR57 BSR57,215 BSR58 BSR58,215 BSR58LT1G BSR606NH6327XTSA1 BSR802N L6327