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CPH6350-TL-E

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
CPH6350-TL-E PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET SWITCHING DEVICE
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
CPH6350-TL-E 技術(shù)參數(shù)
  • CPH6350-P-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 30V 6A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:* 零件狀態(tài):停產(chǎn) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CPH6347-TL-W 功能描述:MOSFET P-CH 20V 6A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:39 毫歐 @ 3A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:10.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:860pF @ 10V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:6-CPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CPH6347-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 20V 6A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):Not For New Designs FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:39 毫歐 @ 3A，4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:10.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:860pF @ 10V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:6-CPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CPH6341-TL-W 功能描述:MOSFET P-CH 30V 5A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:59 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:430pF @ 10V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:6-CPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 CPH6341-TL-E 功能描述:MOSFET P-CH 30V 5A CPH6 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):無貨 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4V 驅(qū)動 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A（Ta） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:59 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:10nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:430pF @ 10V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6 供應(yīng)商器件封裝:6-CPH 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 CPH6442-TL-W CPH6443-P-TL-H CPH6443-TL-H CPH6443-TL-W CPH6444-TL-E CPH6444-TL-W CPH6445-TL-W CPH6501-TL-E CPH6531-TL-E CPH6532-TL-E CPH6538-TL-H CPH6539-TL-H CPH6615-TL-E CPH6616-TL-E CPH6635-TL-H CPH6636R-TL-W CPH6904-TL-E CPH-E13/7/4-1S-6P
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