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IS43DR16640B-25DBLI

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  • 型號
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  • 操作
IS43DR16640B-25DBLI PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 動態隨機存取存儲器 1G (64Mx16) 400MHz DDR2 1.8v
  • RoHS
  • 制造商
  • ISSI
  • 數據總線寬度
  • 16 bit
  • 組織
  • 1 M x 16
  • 封裝 / 箱體
  • SOJ-42
  • 存儲容量
  • 16 MB
  • 最大時鐘頻率
  • 訪問時間
  • 50 ns
  • 電源電壓-最大
  • 7 V
  • 電源電壓-最小
  • - 1 V
  • 最大工作電流
  • 90 mA
  • 最大工作溫度
  • + 85 C
  • 封裝
  • Tube
IS43DR16640B-25DBLI 技術參數
  • IS43DR16640B-25DBL 功能描述:動態隨機存取存儲器 1G (64Mx16) 400MHz DDR2 1.8v RoHS:否 制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube IS43DR16640A-3DBL 功能描述:動態隨機存取存儲器 1G (64Mx16) 333MHz DDR2 1.8v RoHS:否 制造商:ISSI 數據總線寬度:16 bit 組織:1 M x 16 封裝 / 箱體:SOJ-42 存儲容量:16 MB 最大時鐘頻率: 訪問時間:50 ns 電源電壓-最大:7 V 電源電壓-最小:- 1 V 最大工作電流:90 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝:Tube IS43DR16320E-3DBLI 功能描述:IC SDRAM 512MBIT 333MHZ 84BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤 零件狀態:在售 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:DDR2 SDRAM 存儲容量:512M(32M x 16) 速度:333MHz 接口:并聯 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) 封裝/外殼:84-TFBGA 供應商器件封裝:84-TWBGA(8x12.5) 標準包裝:50 IS43DR16320E-3DBL 功能描述:IC SDRAM 512MBIT 333MHZ 84BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤 零件狀態:在售 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:DDR2 SDRAM 存儲容量:512M(32M x 16) 速度:333MHz 接口:并聯 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 85°C(TC) 封裝/外殼:84-TFBGA 供應商器件封裝:84-TWBGA(8x12.5) 標準包裝:50 IS43DR16320E-25DBLI 功能描述:IC SDRAM 512MBIT 400MHZ 84BGA 制造商:issi, integrated silicon solution inc 系列:- 包裝:托盤 零件狀態:在售 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:DDR2 SDRAM 存儲容量:512M(32M x 16) 速度:400MHz 接口:并聯 電壓 - 電源:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA) 封裝/外殼:84-TFBGA 供應商器件封裝:84-TWBGA(8x12.5) 標準包裝:50 IS43DR16640C-25DBLI IS43DR16640C-25DBLI-TR IS43DR16640C-3DBI IS43DR16640C-3DBI-TR IS43DR16640C-3DBL IS43DR16640C-3DBLI IS43DR16640C-3DBLI-TR IS43DR81280A-3DBLI IS43DR81280B-25DBL IS43DR81280B-25DBLI IS43DR81280B-25DBLI-TR IS43DR81280B-25DBL-TR IS43DR81280B-3DBL IS43DR81280B-3DBLI IS43DR81280B-3DBLI-TR IS43DR81280B-3DBL-TR IS43DR81280C-25DBL IS43DR81280C-25DBLI
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