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IXDD609PI

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IXDD609PI PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • IC GATE DVR 9A NON-INV 8-DIP
  • RoHS
  • 類別
  • 集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 95
  • 系列
  • -
  • 配置
  • 高端和低端,獨立
  • 輸入類型
  • 非反相
  • 延遲時間
  • 160ns
  • 電流 - 峰
  • 290mA
  • 配置數
  • 1
  • 輸出數
  • 2
  • 高端電壓 - 最大(自引導啟動)
  • 600V
  • 電源電壓
  • 10 V ~ 20 V
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 125°C
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
  • 供應商設備封裝
  • 8-SOIC
  • 包裝
  • 管件
  • 產品目錄頁面
  • 1381 (CN2011-ZH PDF)
IXDD609PI 技術參數
  • IXDD609D2TR 功能描述:MOSFET 9-Ampere Low-Side Ultrafast MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube IXDD609CI 功能描述:IC GATE DVR 9A DUAL HS TO220-5 RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關 系列:- 標準包裝:95 系列:- 配置:高端和低端,獨立 輸入類型:非反相 延遲時間:160ns 電流 - 峰:290mA 配置數:1 輸出數:2 高端電壓 - 最大(自引導啟動):600V 電源電壓:10 V ~ 20 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:管件 產品目錄頁面:1381 (CN2011-ZH PDF) IXDD604SITR 功能描述:功率驅動器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXDD604SIATR 功能描述:功率驅動器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXDD604SIA 功能描述:功率驅動器IC 4A Dual Low-Side Ultrafast Mosfet DRV RoHS:否 制造商:Micrel 產品:MOSFET Gate Drivers 類型:Low Cost High or Low Side MOSFET Driver 上升時間: 下降時間: 電源電壓-最大:30 V 電源電壓-最小:2.75 V 電源電流: 最大功率耗散: 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-8 封裝:Tube IXDD614SITR IXDD614YI IXDD630CI IXDD630MCI IXDD630MYI IXDD630YI IXDE504D2 IXDE504D2T/R IXDE504PI IXDE504SIA IXDE504SIAT/R IXDE509D1 IXDE509D1T/R IXDE509PI IXDE509SIA IXDE509SIAT/R IXDE514D1 IXDE514D1T/R
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