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MBR130

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MBR130 技術參數

MBR12060CTR 功能描述:DIODE MODULE 60V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管配置:1 對共陰極二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:120A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:750mV @ 60A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3mA @ 20V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:雙塔架供應商器件封裝:雙塔架標準包裝:25 MBR12060CT 功能描述:DIODE MODULE 60V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管配置:1 對共陽極二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:60V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:120A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:750mV @ 60A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3mA @ 20V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:雙塔架供應商器件封裝:雙塔架標準包裝:25 MBR12045CTR 功能描述:DIODE MODULE 45V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管配置:1 對共陽極二極管類型:肖特基，反極性電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:45V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:120A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:650mV @ 60A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3mA @ 20V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:雙塔架供應商器件封裝:雙塔架標準包裝:25 MBR12045CT 功能描述:DIODE MODULE 45V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管配置:1 對共陰極二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:45V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:120A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:650mV @ 60A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3mA @ 20V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:雙塔架供應商器件封裝:雙塔架標準包裝:25 MBR12040CTR 功能描述:DIODE MODULE 40V 120A 2TOWER 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效二極管配置:1 對共陽極二極管類型:肖特基電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:40V 電流 - 平均整流（Io）（每二極管）:120A（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf）:650mV @ 120A 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3mA @ 20V 安裝類型:底座安裝封裝/外殼:雙塔架供應商器件封裝:雙塔架標準包裝:25 MBR140HWTR MBR140SFT1 MBR140SFT1G MBR140SFT3 MBR140SFT3G MBR150 MBR150G MBR150RL MBR150RLG MBR15100CT C0G MBR15100CT-E1 MBR15100CTF-E1 MBR15100CTF-G1 MBR15100CT-G1 MBR15100CTHC0G MBR15150CT C0G MBR15150CTHC0G MBR15200