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PMV37EN

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET N CH 30V 3.1A SOT23
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET, N CH, 30V, 3.1A, SOT23
制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET, N CH, 30V, 3.1A, SOT23; Transistor Polarity

PMV37EN 技術參數

PMV35EPER 功能描述:MOSFET P-CH 30V 5.3A TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5.3A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:19.2nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:793pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:480mW（Ta）, 1.2W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:45 毫歐 @ 4.2A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 PMV33UPE,215 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4.4A TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.4A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:22.1nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1820pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:490mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:36 毫歐 @ 3A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 PMV32UP,215 功能描述:MOSFET P-CH 20V 4A SOT-23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:15.5nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1890pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:510mW（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:36 毫歐 @ 2.4A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 PMV31XN,215 功能描述:MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT-23 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5.9A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:37 毫歐 @ 1.5A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:410pF @ 20V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）標準包裝:1 PMV30XPEAR 功能描述:MOSFET P-CH 20V TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.5A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.25V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:17nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1465pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:490mW（Ta）, 5.435W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:34 毫歐 @ 3A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 PMV45EN2VL PMV48XP,215 PMV48XP/MIR PMV48XPAR PMV48XPVL PMV50ENEAR PMV50EPEAR PMV50UPE,215 PMV50UPEVL PMV50XPR PMV55ENEAR PMV56XN,215 PMV60EN,215 PMV62XN,215 PMV6-35RB-2K PMV6-3RB-2K PMV6-3R-L PMV6-3R-X