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STL55NH3LL

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
STL55NH3LL PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-channel 30 V
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
STL55NH3LL 技術參數
  • STL52N25M5 功能描述:MOSFET N-CH 250V 28A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):28A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):65 毫歐 @ 14A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):47nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1770pF @ 50V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?(5x6) 標準包裝:1 STL51N3LLH5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 51A POWERFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):51A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):14.5 毫歐 @ 6.3A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):5nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):724pF @ 25V 功率 - 最大值:62.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應商器件封裝:PowerFlat?(5x6) 標準包裝:1 STL50NH3LL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 27A PWRFLAT6X5 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):27A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):13 毫歐 @ 6.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):12nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):965pF @ 25V 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?(6x5) 標準包裝:1 STL50DN6F7 功能描述:MOSFET N-CH 60V 57A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):57A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):11 毫歐 @ 7.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1035pF @ 30V 功率 - 最大值:62.5W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?(5x6) 標準包裝:1 STL4P3LLH6 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? H6 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):4A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):56 毫歐 @ 2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):639pF @ 25V 功率 - 最大值:2.4W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-PowerWDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?(2x2) 標準包裝:1 STL60NH3LL STL60P4LLF6 STL-6-250-3-01 STL-6-250-8-01 STL62P3LLH6 STL-6-350-3-01 STL-6-350-8-01 STL-6-450-3-01 STL-6-450-8-01 STL65DN3LLH5 STL65N3LLH5 STL-6-600-3-01 STL-6-600-8-01 STL66DN3LLH5 STL66N3LLH5 STL-6-750-3-01 STL-6-750-8-01 STL6N2VH5
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