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STL7LN80K5

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

STL7LN80K5
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯(lián)系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區(qū)華強路華強廣場D座16層18B
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
6002
ST/意法半導體
PowerFLAT-5x6-VHV-8
21+
-
原裝正品現(xiàn)貨可開增值稅發(fā)票

STL7LN80K5
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
深圳市芯脈實業(yè)有限公司
聯(lián)系人：周小姐/高先生/曹先生
電話：137602720171852080514813487865852
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室
30501
STMicroelectronics
PowerFLAT-5x6-VHV-8
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

STL7LN80K5
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

STL7LN80K5
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯(lián)系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
86900
STMicroelectronics
PowerFlat?（5x6）
18+
-
MOSFET N-CH 800V 5A ...

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功能描述
MOSFET N-CH 800V 5A POWERFLAT
制造商
stmicroelectronics
系列
MDmesh??
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態(tài)
有效
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標準
漏源極電壓（Vdss）
800V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
5A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
1.15 歐姆 @ 2.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
5V @ 100μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
12nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
270pF @ 100V
功率 - 最大值
42W
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-PowerVDFN
供應商器件封裝
PowerFlat?（5x6）
標準包裝
1

STL7LN80K5 技術參數(shù)

STL7DN6LF3 功能描述:MOSFET 2N-CH 60V 20A 5X6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:20A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:43 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:8.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:432pF @ 25V 功率 - 最大值:52W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標準包裝:1 STL75NH3LL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 20A POWERFLAT6X5 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.7 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:24nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1810pF @ 25V 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（6x5）標準包裝:3,000 STL75N8LF6 功能描述:MOSFET N-CH 80V 75A POWERFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7.4 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:125nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6895pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標準包裝:1 STL75N3LLZH5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 75A POWERFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.1 毫歐 @ 9.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1510pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標準包裝:1 STL73D-AP 功能描述:TRANS NPN 400V 1.5A TO-92 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.5A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:400V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1V @ 250mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10 @ 600mA，3V 功率 - 最大值:1.5W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92AP 標準包裝:1 STL-8-250-12-01 STL-8-250-16-01 STL-8-250-20-01 STL-8-250-3-01 STL-8-250-8-01 STL-8-350-12-01 STL-8-350-16-01 STL-8-350-20-01 STL-8-350-3-01 STL-8-350-8-01 STL-8-450-12-01 STL-8-450-16-01 STL-8-450-20-01 STL-8-450-2-01 STL-8-450-8-01 STL85N6F3 STL-8-600-12-01 STL-8-600-16-01