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STL8DN10LF3

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價格
說明
操作

STL8DN10LF3
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F
16800
ST/意法
DFN5X6
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

STL8DN10LF3
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
聯系人：李林
電話：0755-8251939113714584659李先生（可開13%增票，3
地址：深圳市福田區華強北電子科技大夏A座36樓C09
資質：營業執照
18210
ST
PowerFLAT-5
24+
-
全新原裝正品現貨熱賣

STL8DN10LF3
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
STMICROELECT
NA
2021+
-
★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

STL8DN10LF3
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
6003
ST/意法半導體
PowerFLAT-5x6-8
21+
-
原裝正品現貨可開增值稅發票

STL8DN10LF3
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
原裝正品進口現貨電話010-62104...

STL8DN10LF3
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
86900
STMicroelectronics
PowerFlat?（5x6）
18+
-
MOSFET 2N-CH 100V 20...

STL8DN10LF3
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
14500
STMICROEL
1521+
-
全新原裝現貨

STL8DN10LF3
科創特電子（香港）有限公司
科創特電子（香港）有限公司
聯系人：柯
電話：0755-83014603
地址：深圳市福田區深南中路3006號佳和大廈B座907
6000
ST MICROELECTRONICS
價格優勢
2425
-
全新原裝渠道現貨

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功能描述
MOSFET Dual N-Ch 100V 7.8A 25mOhm STripFET III
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

STL8DN10LF3 技術參數

STL86N3LLH6AG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A PWRFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級，AEC-Q101，STripFET? H6 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.2 毫歐 @ 10.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2030pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標準包裝:1 STL85N6F3 功能描述:MOSFET N-CH 60V 85A POWERFLAT5X6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:85A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.7 毫歐 @ 8.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:60nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3400pF @ 25V 功率 - 最大值:4W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（6x5）標準包裝:1 STL80N75F6 功能描述:MOSFET N-CH 75V 18A POWERFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:6.3 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7120pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標準包裝:1 STL80N4LLF3 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A POWERFLAT6X5 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:28nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2530pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（6x5）標準包裝:1 STL80N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 21A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.2 毫歐 @ 10.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1690pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標準包裝:1 STL8N80K5 STL8NH3LL STL8P2UH7 STL8P4LLF6 STL90N10F7 STL90N3LLH6 STL90N6F7 STL92N10F7AG STL9N3LLH5 STL9N60M2 STL9N65M2 STL9P2UH7 STL9P3LLH6 STLA01PUR STLA02PUR STLC3055Q STLC3055QTR STLC3080

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