型號: | IDT70V5378S100BC |
廠商: | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
元件分類: | DRAM |
英文描述: | 3.3V 64/32K X 18 SYNCHRONOUS FOURPORT STATIC RAM |
中文描述: | 32K X 18 FOUR-PORT SRAM, 3.6 ns, PBGA256 |
封裝: | 17 X 17 MM, 1 MM PITCH, BGA-256 |
文件頁數: | 1/29頁 |
文件大?。?/td> | 396K |
代理商: | IDT70V5378S100BC |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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IDT70V631S | HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
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IDT70V631S15BFI | Photoelectric Sensor; Sensor Input Type:Optical; Sensing Range Max:20m; Sensor Output Type:AC DO; Leaded Process Compatible:No; Output Type:DO; Peak Reflow Compatible (260 C):No; Sensor Housing:Barrel; Contact Current Max:300mA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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IDT70V5378S100BC8 | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 100MHZ 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
IDT70V5378S100BG | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 100MHZ 272BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
IDT70V5378S100BG8 | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 100MHZ 272BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
IDT70V5378S133BC | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
IDT70V5378S133BC8 | 功能描述:IC SRAM 576KBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |