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參數資料
型號: IDT71V35761YS200BG
廠商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類: DRAM
英文描述: CABLE, COAX, RG58, LSF, BLACK, 100M; Length, Reel (Imperial):328ft; Attenuation, 1 GHz:50.0dB; Attenuation, 10 MHz:4.5dB; Attenuation, 200 MHz:22.0dB; Attenuation, 400MHz:32.0dB; Capacitance:100pF/m; Conductor make-up:19/0.18 mm; RoHS Compliant: Yes
中文描述: 128K X 36 CACHE SRAM, 3.1 ns, PBGA119
封裝: BGA-119
文件頁數: 1/24頁
文件大小: 741K
代理商: IDT71V35761YS200BG
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相關PDF資料
PDF描述
IDT71V35781YS200BG CABLE, COAX, RG58, LSF, BLACK, 500M; Attenuation, 1 GHz:50.0dB; Attenuation, 10 MHz:4.5dB; Attenuation, 200 MHz:22.0dB; Attenuation, 400MHz:32.0dB; Capacitance:100pF/m; Conductor make-up:19/0.18 mm; Diameter, External:4.95mm; RoHS Compliant: Yes
IDT71V35761YS200BGI CABLE, COAX, RG5900, WHITE, 100M; Attenuation, 1 GHz:42.9dB; Attenuation, 100 MHz:11.6dB; Attenuation, 400MHz:25.0dB; Attenuation, 5.0 MHz:2.9dB; Attenuation, 50 MHz:8.0dB; Capacitance:67pF/m; Colour, primary insulation:White; RoHS Compliant: Yes
IDT71V35781YS200BGI CABLE, COAX, RG5900, WHITE, 500M; Length, Reel (Imperial):1640.4ft; Attenuation, 1 GHz:42.9dB; Attenuation, 100 MHz:11.6dB; Attenuation, 400MHz:25.0dB; Attenuation, 5.0 MHz:2.9dB; Attenuation, 50 MHz:8.0dB; Capacitance:67pF/m; RoHS Compliant: Yes
IDT71V35761YS200BQ CABLE, COAX, RG5900, BLACK, 500M; Length, Reel (Imperial):1640.4ft; Attenuation, 1 GHz:42.9dB; Attenuation, 100 MHz:11.6dB; Attenuation, 400MHz:25.0dB; Attenuation, 5.0 MHz:2.9dB; Attenuation, 50 MHz:8.0dB; Capacitance:67pF/m; RoHS Compliant: Yes
IDT71V35781YS200BQ CABLE, COAX, TWIN, BLACK, COMP, 100M; Length, Reel (Imperial):328ft; Attenuation, 1 GHz:42.9dB; Attenuation, 100 MHz:11.6dB; Attenuation, 300 MHz:21.2dB; Attenuation, 400MHz:25.0dB; Attenuation, 5.0 MHz:2.9dB; Attenuation, 50 RoHS Compliant: Yes
相關代理商/技術參數
參數描述
IDT71V35761YS200BG8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 200MHZ 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR)
IDT71V35761YS200PF 功能描述:IC SRAM 4MBIT 200MHZ 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M(64M x 8) 速度:- 接口:并聯 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬) 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040
IDT71V35761YSA166BG 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR)
IDT71V35761YSA166BG8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR)
IDT71V35761YSA166BGG 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 119BGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應商設備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR)
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