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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT71V35781YSA183BQI |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | RECTIFIER FAST-RECOVERY SINGLE 1A 50V 30A-ifsm 1V-vf 50ns 5uA-ir DO-41 1K/BULK |
| 中文描述： | 256K X 18 CACHE SRAM, 3.3 ns, PBGA165 |
| 封裝： | FBGA-165 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/24頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 741K |
| 代理商： | IDT71V35781YSA183BQI |
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| IDT71V3578S133PFGI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
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