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參數資料
| 型號： | IMF4 |
| 英文描述： | Transistors |
| 中文描述： | 晶體管 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 77K |
| 代理商： | IMF4 |
UMF4N
Transistors
1/4
Power management (dual transistors)
UMF4N
2SA2018 and DTC123EE are housed independently in a UMT package.
!
Application
Power management circuit
!
Features
1) Power switching circuit in a single package.
2) Mounting cost and area can be cut in half.
!
Structure
Silicon epitaxial planar transistor
!
Equivalent circuits
R
1
R
2
DTr2
Tr1
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
R
1
=2.2k
R
2
=2.2k
!
External dimensions
(Units : mm)
ROHM : UMT6
EIAJ : SC-88
Each lead has same dimensions
0
~
0
(
2
1
0
0
0
0.1Min.
2.1
0
0
1.25
(
0
(
(
(
(
!
Package, marking, and packaging specifications
Type
Package
Marking
Code
UMF4N
UMT6
F4
TR
3000
Basic ordering unit(pieces)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IMF5 | Transistors |
| IMF6 | Transistors |
| IMH1 | TRANSISTOR | SO |
| IMH2 | TRANSISTOR | SO |
| IMH3 | TRANSISTOR | SO |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IMF6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Transistors |
| IMF61HR | 功能描述:高頻/射頻繼電器 1formBand1formC 3VDC SMT high distance RoHS:否 制造商:Omron Electronics 觸點形式:2 Form C (DPDT-BM) 觸點電流額定值: 線圈電壓:5 VDC 線圈類型:Non-Latching 頻率: 功耗:100 mW 端接類型:Solder Terminal 絕緣:20 dB to 30 dB at 1 GHz 介入損耗:0.2 dB at 1 GHz |
| IMF6485 | 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:N-CHANNEL JFET |
| IMF68HR | 功能描述:高頻/射頻繼電器 1forBand1forC 2.4VDC SMT high distance RoHS:否 制造商:Omron Electronics 觸點形式:2 Form C (DPDT-BM) 觸點電流額定值: 線圈電壓:5 VDC 線圈類型:Non-Latching 頻率: 功耗:100 mW 端接類型:Solder Terminal 絕緣:20 dB to 30 dB at 1 GHz 介入損耗:0.2 dB at 1 GHz |
| IMFM155 | 功能描述:近程傳感器 IPD FLATPAK 50X2 5MM 18 5MM NAMUR2M RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 感應方式:Optical 感應距離:1 mm to 200 mm 電源電壓:2.5 V to 3.6 V 安裝風格:SMD/SMT 輸出配置:Digital 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 25 C 系列:VCNL3020 |
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