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參數資料
型號: IPB80N04S2-H4
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述: OptiMOS㈢ Power-Transistor
中文描述: 的OptiMOS㈢功率晶體管
文件頁數: 1/8頁
文件大小: 169K
代理商: IPB80N04S2-H4
IPB80N04S2-H4
IPP80N04S2-H4, IPI80N04S2-H4
Opti
MOS
Power-Transistor
Features
N-channel - Enhancement mode
Automotive AEC Q101 qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
175°C operating temperature
Green package (lead free)
Ultra low Rds(on)
100% Avalanche tested
Maximum ratings,
at
T
j
=25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Conditions
Unit
Continuous drain current
1)
I
D
T
C
=25 °C,
V
GS
=10 V
80
A
T
C
=100 °C,
V
GS
=10 V
2)
80
Pulsed drain current
2)
I
D,pulse
T
C
=25 °C
320
Avalanche energy, single pulse
2)
E
AS
I
D
=80A
660
mJ
Gate source voltage
4)
V
GS
±20
V
Power dissipation
P
tot
T
C
=25 °C
300
W
Operating and storage temperature
T
j
,
T
stg
-55 ... +175
°C
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
55/175/56
Value
V
DS
40
V
R
DS(on),max
(SMD version)
3.7
m
I
D
80
A
Product Summary
PG-TO220-3-1
PG-TO262-3-1
PG-TO263-3-2
Type
Package
Ordering Code
Marking
IPB80N04S2-H4
PG-TO263-3-2
SP0002-18165
2N04H4
IPP80N04S2-H4
PG-TO220-3-1
SP0002-18169
2N04H4
IPI80N04S2-0H4
PG-TO262-3-1
SP0002-18171
2N04H4
Rev. 1.0
page 1
2006-03-02
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PDF描述
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IPD04N03LAG OptiMOS㈢2 Power-Transistor
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相關代理商/技術參數
參數描述
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