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參數資料
型號: IRF1503L
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 190A I(D) | TO-262AA
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五(巴西)直| 190A章一(d)|對262AA
文件頁數: 3/11頁
文件大?。?/td> 661K
代理商: IRF1503L
www.irf.com
3
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
4.5V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
VGS
TOP 15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
ID
4.5V
20μs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
VGS
TOP 15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM 4.5V
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
ID
(
)
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VDS = 25V
20μs PULSE WIDTH
0
40
80
120
160
200
ID, Drain-to-Source Current (A)
0
40
80
120
160
200
G
TJ = 25°C
TJ = 175°C
VDS = 25V
20μs PULSE WIDTH
Fig 4.
Typical Forward Transconductance
Vs. Drain Current
相關PDF資料
PDF描述
IRF151CHIP TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 40A I(D) | CHIP
IRF1520G
IRF15210 TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-220FP
IRF1530N
IRF150SMD N-Channel Power MOSFET(Vdss:100V,Id(cont):19A,Rds(on):0.07Ω)(N溝道功率MOS場效應管(Vdss:100V,Id(cont):19A,Rds(on):0.07Ω))
相關代理商/技術參數
參數描述
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IRF1503S 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package
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IRF1503STRLPBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.3mOhms 130nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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