型號: | IRF256 |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 275V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-204AA |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 275V五(巴西)直| 22A條(?。﹟對204AA |
文件頁數: | 1/1頁 |
文件大?。?/td> | 45K |
代理商: | IRF256 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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IRF610R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 3.3A I(D) | TO-220AB |
IRF612R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 2.6A I(D) | TO-220AB |
IRF620A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220AB |
IRF620CHIP | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5A I(D) | CHIP |
IRF620R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-220AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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IRF257 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 275V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-204AA |
IRF2604 | 制造商:International Rectifier 功能描述:Electronic Component |
IRF2804 | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
IRF2804HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 40V 280A 3PIN TO-220 - Bulk |
IRF2804L | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 280A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |