型號: | IRF257 |
英文描述: | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 275V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-204AA |
中文描述: | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 275V五(巴西)直| 20A條(丁)|對204AA |
文件頁數: | 1/1頁 |
文件大小: | 45K |
代理商: | IRF257 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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IRF333R | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-204AA |
IRF6215L | -150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package |
IRF6215S | -150V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package |
IRF6216 | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 2.2A I(D) | SO |
IRF621FI | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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IRF2604 | 制造商:International Rectifier 功能描述:Electronic Component |
IRF2804 | 功能描述:MOSFET N-CH 40V 75A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A,10V Id 時的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
IRF2804HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 40V 280A 3PIN TO-220 - Bulk |
IRF2804L | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 40V 280A 3-Pin(3+Tab) TO-262 |
IRF2804LPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |