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參數資料
| 型號： | IRF3205STRL |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 55V的五（巴西）直|已廢除一（d）|對263AB |
| 文件頁數： | 3/10頁 |
| 文件大小： | 195K |
| 代理商： | IRF3205STRL |
IRF3205S/L
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
10
100
1000
0.1
1
10
100
I
D
V , Drain-to-Source Voltage (V)
VGS
20μs PULSE WIDTH
T = 25°C
J
A
4.5V
10
100
1000
0.1
1
10
100
4.5V
I
D
V , Drain-to-Source Voltage (V)
VGS
20μs PULSE WIDTH
T = 175°C
A
1
10
100
1000
4
5
6
7
8
9
10
T = 25°C
J
V , Gate-to-Source Voltage (V)
D
I
T = 175°C
J
A
V = 25V
20μs PULSE W IDTH
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
-60
-40
-20
T , Junction Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100 120 140 160
180
R
D
(
V = 10V
A
I = 98A
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF3205STRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-263AB |
| IRF3315L | 150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package |
| IRF3315SL | |
| IRF3315S | Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.082ohm, Id=21A) |
| IRF3515STRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 41A I(D) | TO-263AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF3205STRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF3205STRLPBF-CUT TAPE | 制造商:IR 功能描述:Single N-Channel 55 V 200 W 146 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK |
| IRF3205STRR | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF3205STRRPBF | 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 97.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF3205VPBF | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
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