- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄360928 > IRF3205STRL TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-263AB PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRF3205STRL |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-263AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 55V的五（巴西）直|已廢除一（d）|對(duì)263AB |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/10頁(yè) |
| 文件大小： | 195K |
| 代理商： | IRF3205STRL |
IRF3205S/L
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
0
4
8
12
16
20
0
30
60
90
120
150
180
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
I = 59A
V = 44V
V = 28V
V = 11V
1
10
100
1000
1
10
100
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
10μs
100μs
1ms
10ms
A
T = 25°C
T = 175°C
Single Pulse
10
100
1000
0.6
1.0
V , Source-to-Drain Voltage (V)
1.4
1.8
2.2
2.6
3.0
T = 25°C
V = 0V
I
S
A
T = 175°C
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
8000
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF3205STRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 110A I(D) | TO-263AB |
| IRF3315L | 150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package |
| IRF3315SL | |
| IRF3315S | Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.082ohm, Id=21A) |
| IRF3515STRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 41A I(D) | TO-263AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF3205STRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF3205STRLPBF-CUT TAPE | 制造商:IR 功能描述:Single N-Channel 55 V 200 W 146 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK |
| IRF3205STRR | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF3205STRRPBF | 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 97.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF3205VPBF | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
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