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參數資料
| 型號： | IRF3315L |
| 英文描述： | 150V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package |
| 中文描述： | 150伏單N溝道HEXFET功率MOSFET的采用TO - 262封裝 |
| 文件頁數： | 9/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 197K |
| 代理商： | IRF3315L |
IRF3315S/L
Package Outline
TO-262 Outline
TO-262
Part Marking Information
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF3315SL | |
| IRF3315S | Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.082ohm, Id=21A) |
| IRF3515STRL | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 41A I(D) | TO-263AB |
| IRF3515STRR | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 41A I(D) | TO-263AB |
| IRF362 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 22A I(D) | TO-204AE |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF3315LPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 150V 21A TO-262 RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF3315PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 150V 21A 70mOhm 63.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF3315S | 功能描述:MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF3315SHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 21A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
| IRF3315SL | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
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