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參數資料
| 型號： | IRF3704ZCSPBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁數： | 1/11頁 |
| 文件大小： | 356K |
| 代理商： | IRF3704ZCSPBF |
www.irf.com
1
03/11/04
IRF3704ZCSPbF
IRF3704ZCLPbF
HEXFET Power MOSFET
Notes
through are on page 11
Applications
High Frequency Synchronous Buck
Converters for Computer Processor Power
Lead-Free
Benefits
Low R
DS(on)
at 4.5V V
GS
Ultra-Low Gate Impedance
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
D
2
Pak
IRF3704ZCSPbF
TO-262
IRF3704ZCLPbF
V
DSS
R
DS(on)
max
20V
Qg
8.7nC
7.9m
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Units
V
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
C
= 100°C
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
A
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
W
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
W/°C
°C
T
J
T
STG
Soldering Temperature, for 10 seconds
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
2.65
40
Units
°C/W
R
θ
JC
R
θ
JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB Mount)
57
28
0.38
Max.
20
67
47
260
± 20
300 (1.6mm from case)
-55 to + 175
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF3709ZLPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF3709ZPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF3709ZSPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF3709ZL | HEXFET Power MOSFET |
| IRF3709ZS | HEXFET Power MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF3704ZCSTRLP | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF3704ZCSTRRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 67A 3PIN D2PAK - Tape and Reel |
| IRF3704ZCSTRRP | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF3704ZL | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRF3704ZLHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 67A 3PIN TO-262 - Bulk |
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