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參數資料
| 型號： | IRF3708S |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=12mohm, Id=62A) |
| 中文描述： | 功率MOSFET（減振鋼板基本\u003d 30V的，的Rds（on）最大值\u003d 12mohm，身份證\u003d 62A條） |
| 文件頁數： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 138K |
| 代理商： | IRF3708S |
www.irf.com
1
8/22/00
IRF3708
IRF3708S
IRF3708L
SMPS MOSFET
HEXFET
Power MOSFET
R
DS(on)
max
12m
High Frequency DC-DC Isolated Converters
with Synchronous Rectification for Telecom
and Industrial Use
Benefits
Ultra-Low Gate Impedance
Applications
Very Low R
DS(on)
at 4.5V V
GS
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
V
DSS
30V
I
D
62A
Notes
through are on page 10
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
DS
V
GS
Gate-to-Source Voltage
I
D
@ T
C
= 25
°
C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
D
@ T
C
= 70
°
C
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
I
DM
Pulsed Drain Current
P
D
@T
C
= 25
°
C
Maximum Power Dissipation
P
D
@T
C
= 70
°
C
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor 0.58 W/
°
C
T
J
, T
STG
Junction and Storage Temperature Range
Parameter
Max.
30
Units
V
Drain-Source Voltage
±12 V
62
52
248
87
61
A
W
W
-55 to + 175
°
C
* When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material) .
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994
D
2
Pak
IRF3708S
TO-220AB
IRF3708
TO-262
IRF3708L
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
–––
0.50
–––
–––
Max.
1.73
–––
62
40
Units
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
R
θ
JA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
Junction-to-Ambient (PCB mount)*
°
C/W
High Frequency Buck Converters for
Computer Processor Power
PD - 93938B
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF3709LPBF | SMPS MOSFET |
| IRF3709PBF | SMPS MOSFET |
| IRF3709SPbF | SMPS MOSFET |
| IRF3709ZCLPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF3709ZCSPBF | HEXFET Power MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF3708SHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 62A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
| IRF3708SPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 62A 12mOhm 24nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF3708SPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET 30V 62A D2-PAK |
| IRF3708STRL | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF3708STRLPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 62A D2PAK RoHS:是 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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