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參數資料
| 型號： | IRF3709LPBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | SMPS MOSFET |
| 中文描述： | MOSFET的開關電源 |
| 文件頁數： | 1/11頁 |
| 文件大小： | 238K |
| 代理商： | IRF3709LPBF |
www.irf.com
1
07/01/04
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
A
= 25°C
Linear Derating Factor 0.96
T
J
, T
STG
Junction and Storage Temperature Range
Parameter
Max.
30
Units
V
Drain-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
± 20 V
90
57
360
120
3.1
A
W
W
mW/°C
°C
-55 to + 150
IRF3709PbF
IRF3709SPbF
IRF3709LPBF
SMPS MOSFET
HEXFET Power MOSFET
R
DS(on)
max
9.0m
V
DSS
30V
I
D
90A
Notes
through are on page 11
Absolute Maximum Ratings
D
2
Pak
IRF3709S
TO-220AB
IRF3709
TO-262
IRF3709L
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
–––
0.50
–––
–––
Max.
1.04
–––
62
40
Units
R
θ
JC
R
θ
CS
R
θ
JA
R
θ
JA
Junction-to-Case
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface
Junction-to-Ambient
Junction-to-Ambient (PCB mount)
°C/W
Applications
High Frequency Isolated DC-DC
Converters with Synchronous Rectification
for Telecom and Industrial Use
High Frequency Buck Converters for
Server Processor Power Synchronous FET
Optimized for Synchronous Buck
Converters Including Capacitive Induced
Turn-on Immunity
Lead-Free
Benefits
Ultra-Low Gate Impedance
Very Low RDS(on) at 4.5V V
GS
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
PD - 95495
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF3709PBF | SMPS MOSFET |
| IRF3709SPbF | SMPS MOSFET |
| IRF3709ZCLPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF3709ZCSPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF3709ZCL | HEXFET Power MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF3709PBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 27nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF3709S | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF3709SHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 90A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
| IRF3709SPBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 27nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF3709STRL | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:18A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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