- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄384489 > IRF3717PBF (International Rectifier) HEXFET Power MOSFET PDF資料下載
參數資料
| 型號： | IRF3717PBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁數： | 1/10頁 |
| 文件大小： | 198K |
| 代理商： | IRF3717PBF |
www.irf.com
1
8/10/04
IRF3717PbF
HEXFET Power MOSFET
R
DS(on)
max
4.4m @V
GS
= 10V
Notes
through are on page 10
Benefits
Ultra-Low Gate Impedance
Very Low R
DS(on)
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
Top View
8
1
2
3
4
5
6
7
D
D
D
D
G
S
A
S
S
A
SO-8
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Units
V
V
DS
V
GS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ 10V
Pulsed Drain Current
A
Power Dissipation
Power Dissipation
W
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
W/°C
°C
T
J
T
STG
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
–––
–––
Max.
20
50
Units
°C/W
R
θ
JL
R
θ
JA
Junction-to-Drain Lead
Junction-to-Ambient
-55 to + 150
2.5
1.6
0.02
Max.
20
20
16
160
± 20
Applications
Synchronous MOSFET for Notebook
Processor Power
Synchronous Rectifier MOSFET for
Isolated DC-DC Converters in
Networking Systems
Lead-Free
V
DSS
20V
I
D
20A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF3805LPbF | AUTOMOTIVE MOSFET |
| IRF3805PBF | AUTOMOTIVE MOSFET |
| IRF3805SPbF | AUTOMOTIVE MOSFET |
| IRF3805 | AUTOMOTIVE MOSFET |
| IRF3805L | AUTOMOTIVE MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF3717TR | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF3717TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 20A 4.4mOhm 22nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF3805 | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應商設備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
| IRF3805HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 55V 220A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
| IRF3805L | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。