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參數資料
| 型號： | IRF4435 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8A I(D) | SO |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| P通道| 30V的五（巴西）直| 8A條（丁）|蘇 |
| 文件頁數： | 2/8頁 |
| 文件大小： | 211K |
| 代理商： | IRF4435 |
IRF4435
2
www.irf.com
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= -2.5A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= -2.5A
di/dt = -100A/μs
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
–––
–––
–––
–––
34
33
-1.2
51
50
V
ns
nC
Source-Drain Ratings and Characteristics
A
-50
–––
–––
–––
-2.5
–––
S
D
G
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
Notes:
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
Surface mounted on FR-4 board, t
≤
5sec.
Parameter
Min. Typ. Max. Units
-30
–––
––– -0.019 –––
––– 0.015 0.020
––– 0.026 0.035
-1.0
–––
–––
11
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
40
–––
7.1
–––
8.0
–––
16
–––
76
–––
130
–––
90
–––
2320 –––
–––
390
–––
270
Conditions
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Drain-to-Source Breakdown Voltage
–––
V
V
GS
= 0V, I
D
= -250μA
Reference to 25°C, I
D
= -1mA
V
GS
= -10V, I
D
= -8.0A
V
GS
= -4.5V, I
D
= -5.0A
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250μA
V
DS
= -15V, I
D
= -8.0A
V
DS
= -24V, V
GS
= 0V
V
DS
= -15V, V
GS
= 0V, T
J
= 70°C
V
GS
= -20V
V
GS
= 20V
I
D
= -4.6A
V
DS
= -15V
V
GS
= -10V
V
DD
= -15V, V
GS
= -10V
I
D
= -1.0A
R
G
= 6.0
R
D
= 15
V
GS
= 0V
V
DS
= -15V
= 1.0kHz
V/°C
V
GS(th)
g
fs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
–––
–––
-10
-10
-100
100
60
–––
–––
24
110
200
140
V
S
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
C
iss
C
oss
C
rss
nC
–––
–––
pF
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
I
GSS
μA
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
nA
ns
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PDF描述 |
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| IRF450 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET TRANSISTOR |
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