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參數資料
| 型號： | IRF4435 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 8A I(D) | SO |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| P通道| 30V的五（巴西）直| 8A條（丁）|蘇 |
| 文件頁數： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 211K |
| 代理商： | IRF4435 |
IRF4435
4
www.irf.com
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
0
10
20
30
40
50
60
0
4
8
12
16
20
Q , Total Gate Charge (nC)
-
G
I =
-4.6A
V
=-15V
DS
0.1
1
10
100
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
-V ,Source-to-Drain Voltage (V)
-
S
V = 0 V
T = 25 C
T = 150 C
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
BY R
DS(on)
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
Single Pulse
T
T
= 150°
= 25 C
°
J
A
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
-
D
I
100us
1ms
10ms
1
10
100
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
-V , Drain-to-Source Voltage (V)
C
C
V
C
C
=
=
=
=
0V,
C
C
C
ds
f = 1MHz
+ C
gd ,
+ C
C SHORTED
GS
iss
rss
oss
gs
gd
gd
C
iss
C
oss
C
rss
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PDF描述 |
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參數描述 |
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| IRF450 | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET TRANSISTOR |
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