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參數資料
| 型號： | IRF540 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET POWER MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁數： | 3/9頁 |
| 文件大小： | 86K |
| 代理商： | IRF540 |
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
IRF540, IRF540S
REVERSE DIODE LIMITING VALUES AND CHARACTERISTICS
T
j
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL PARAMETER
I
S
Continuous source current
(body diode)
I
SM
Pulsed source current (body
diode)
V
SD
Diode forward voltage
t
rr
Reverse recovery time
Q
rr
Reverse recovery charge
CONDITIONS
MIN.
-
TYP. MAX. UNIT
-
23
A
-
-
92
A
I
F
= 28 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 17 A; -dI
F
/dt = 100 A/
μ
s;
V
GS
= 0 V; V
R
= 25 V
-
-
-
0.94
61
200
1.5
-
-
V
ns
nC
August 1999
3
Rev 1.100
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF540NL | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=44mohm, Id=33A) |
| IRF540NS | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=44mohm, Id=33A) |
| IRF540 | N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V |
| IRF5NJZ34 | 55V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-0.5 package |
| IRF610A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 3.3A I(D) | TO-220AB |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF-540 | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| IRF540,127 | 功能描述:MOSFET RAIL IR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF540/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate |
| IRF540_03 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 100V - 0.055ヘ - 22A TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET |
| IRF540_R4941 | 功能描述:MOSFET USE 512-IRF540A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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