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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IRF540 |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET POWER MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/9頁(yè) |
| 文件大小： | 86K |
| 代理商： | IRF540 |
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
IRF540, IRF540S
Fig.13. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
Fig.14. Maximum permissible non-repetitive
avalanche current (I
) versus avalanche time (t
AV
);
unclamped inductive load
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
Source-Drain Voltage, VSDS (V)
1
1.1 1.2 1.3 1.4 1.5
Source-Drain Diode Current, IF (A)
Tj = 25 C
175 C
VGS = 0 V
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
Avalanche time, t
AV
(ms)
Maximum Avalanche Current, I
AS
(A)
Tj prior to avalanche = 150 C
25 C
August 1999
6
Rev 1.100
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF540NL | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=44mohm, Id=33A) |
| IRF540NS | Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=44mohm, Id=33A) |
| IRF540 | N-Channel Power MOSFETs, 27 A, 60-100V |
| IRF5NJZ34 | 55V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a SMD-0.5 package |
| IRF610A | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 3.3A I(D) | TO-220AB |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IRF-540 | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
| IRF540,127 | 功能描述:MOSFET RAIL IR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF540/D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:N-Channel Enhancement-Mode Silicon Gate |
| IRF540_03 | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 100V - 0.055ヘ - 22A TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET |
| IRF540_R4941 | 功能描述:MOSFET USE 512-IRF540A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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