| 型號(hào)： |
IRF6668TR1 |
| 廠商： |
International Rectifier |
| 文件頁數(shù)： |
6/10頁 |
| 文件大小： |
0K |
| 描述： |
MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET-MZ |
| 產(chǎn)品變化通告： |
(PMD) Leaded Parts Discontinuation 25/May/2012
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| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： |
1,000 |
| 系列： |
HEXFET® |
| FET 型： |
MOSFET N 通道，金屬氧化物
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| FET 特點(diǎn)： |
標(biāo)準(zhǔn)
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| 漏極至源極電壓(Vdss)： |
80V
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| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： |
55A
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| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： |
15 毫歐 @ 12A，10V
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| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： |
4.9V @ 100µA
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| 閘電荷(Qg) @ Vgs： |
31nC @ 10V
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| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： |
1320pF @ 25V
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| 功率 - 最大： |
2.8W
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| 安裝類型： |
表面貼裝
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| 封裝/外殼： |
DirectFET? 等容 MZ
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| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： |
DIRECTFET? MZ
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| 包裝： |
帶卷 (TR)
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