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參數資料
型號: IRF6668TR1
廠商: International Rectifier
文件頁數: 7/10頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 80V 55A DIRECTFET-MZ
產品變化通告: (PMD) Leaded Parts Discontinuation 25/May/2012
標準包裝: 1,000
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 80V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 55A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 15 毫歐 @ 12A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 4.9V @ 100µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 31nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1320pF @ 25V
功率 - 最大: 2.8W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: DirectFET? 等容 MZ
供應商設備封裝: DIRECTFET? MZ
包裝: 帶卷 (TR)
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