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參數資料
| 型號： | IRF7105 |
| 廠商： | Microsemi Corporation |
| 英文描述： | EVALUATION KIT |
| 中文描述： | 評估板 |
| 文件頁數： | 1/18頁 |
| 文件大小： | 339K |
| 代理商： | IRF7105 |
LXE1710 E
VALUATION
B
OARD
U
SER
G
UIDE
Microsemi
Linfinity Microelectronics Division
11861 Western Avenue, Garden Grove, CA. 92841, 714-898-8121, Fax: 714-893-2570
Page 1
Copyright
2000
Rev. 1.1, 2000-12-01
A M I C R O S E M I C O M P A N Y
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7205 | HEXFET Power MOSFET |
| IRF7207 | HEXFET Power MOSFET |
| IRF7240 | HEXFET Power MOSFET |
| IRF7241PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF7241 | HEXFET Power MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF7105PBF | 功能描述:MOSFET 25V DUAL N / P CH 20 VGS MAX V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF7105Q9BF | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET POWER MOSFET |
| IRF7105QPBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF7105QPBF_10 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFETPOWERMOSFET |
| IRF7105QTRPBF | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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