- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄360931 > IRF722R TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 2.8A I(D) | TO-220AB PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IRF722R |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 2.8A I(D) | TO-220AB |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 400V五（巴西）直| 2.8AI（四）| TO - 220AB現(xiàn)有 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大小： | 46K |
| 代理商： | IRF722R |
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| IRF7233PBF | 功能描述:MOSFET 1 P-CH -12V HEXFET 20mOhms 49nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF7233PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET |
| IRF7233TR | 功能描述:MOSFET P-CH 12V 9.5A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:HEXFET® 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件 |
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