欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: IRF730APBF
廠商: International Rectifier
英文描述: SMPS MOSFET
中文描述: MOSFET的開關電源
文件頁數: 4/7頁
文件大小: 59K
代理商: IRF730APBF
Philips Semiconductors
Product specification
PowerMOS transistor
Avalanche energy rated
IRF730
Fig.7. Typical transfer characteristics.
I
D
= f(V
GS
); parameter T
j
Fig.8. Typical transconductance
g
fs
= f(I
D
); parameter T
j
Fig.9. Normalised drain-source on-state resistance.
a = R
DS(ON)
/R
DS(ON)25 C
= f(T
j
); I
D
= 3.6 A; V
GS
= 10 V
Fig.10. Gate threshold voltage
V
GS(TO)
= f(T
j
); conditions: I
D
= 0.25 mA; V
DS
= V
GS
Fig.11. Sub-threshold drain current.
I
D
= f(V
GS)
; conditions: T
j
= 25 C; V
DS
= V
GS
Fig.12. Typical capacitances, C
, C
, C
.
C = f(V
DS
); conditions: V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
0
2
VGS, Gate-Source voltage (Volts)
4
6
8
10
0
5
10
15
20
PHP5N40
ID, Drain current (Amps)
VDS > ID x RDS(on)max
Tj = 25 C
Tj = 150 C
-60
-40
-20
0
20
40
Tj / C
60
80
100
120
140
VGS(TO) / V
4
3
2
1
0
max.
typ.
min.
0
5
10
15
20
0
1
2
3
4
5
6
7
PHP5N40
ID, Drain current (A)
gfs, Transconductance (S)
Tj = 25 C
150 C
VDS > ID x RDS(on)max
0
1
2
VGS / V
3
4
ID / A
1E-01
1E-02
1E-03
1E-04
1E-05
1E-06
SUB-THRESHOLD CONDUCTION
typ
2 %
98 %
-60
-40
-20
0
20
40
Tj / C
60
80
100 120 140
Normalised RDS(ON) = f(Tj)
2
1
0
a
1
10
100
1000
10
100
1000
PHP5N40
VDS, Drain-Source voltage (Volts)
Junction capacitances (pF)
Ciss
Coss
Crss
March 1999
4
Rev 1.000
相關PDF資料
PDF描述
IRF730 FERRITE EMI SUPPRESSOR
IRF730 N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350 V/400V
IRF730B 400V N-Channel MOSFET
IRF7434
IRF743FI TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-220AB
相關代理商/技術參數
參數描述
IRF730AS 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
IRF730AS/LPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET (SMPS MOSFET)
IRF730ASL 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:SMPS MOSFET
IRF730ASLPBF 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET (SMPS MOSFET)
IRF730ASPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 400V 5.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
主站蜘蛛池模板: 依兰县| 保亭| 宿州市| 环江| 台中县| 正阳县| 泰宁县| 民县| 绥化市| 闽清县| 扎鲁特旗| 乌审旗| 开江县| 金山区| 全州县| 内丘县| 洛宁县| 秀山| 涡阳县| 中方县| 剑川县| 龙江县| 黄山市| 石门县| 双流县| 双鸭山市| 万年县| 平顶山市| 沈丘县| 新野县| 昭平县| 普宁市| 台州市| 汕尾市| 璧山县| 宜都市| 高雄市| 八宿县| 惠东县| 拜城县| 米易县|