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參數資料
| 型號： | IRF7328PBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET㈢ Power MOSFET |
| 中文描述： | ㈢的HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁數： | 1/8頁 |
| 文件大小： | 177K |
| 代理商： | IRF7328PBF |
HEXFET
Power MOSFET
10/7/04
IRF7328PbF
Absolute Maximum Ratings
www.irf.com
1
Thermal Resistance
Parameter
Max. Units
62.5 °C/W
R
θ
JA
Maximum Junction-to-Ambient
Parameter
Max.
-30
-8.0
-6.4
-32
2.0
1.3
Units
V
V
DS
I
D
@ T
A
= 25°C
I
D
@ T
A
= 70°C
I
DM
P
D
@T
A
= 25°C
P
D
@T
A
= 70°C
Linear Derating Factor 16 mW/°C
V
GS
Gate-to-Source Voltage
± 20 V
T
J
, T
STG
Junction and Storage Temperature Range
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current, V
GS
@ -10V
Continuous Drain Current, V
GS
@ -10V
Pulsed Drain Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
A
W
W
-55 to + 150
°C
New trench HEXFET
Power MOSFETs from
International Rectifier utilize advanced processing
techniques to achieve extremely low on-resistance
per silicon area. This benefit, combined with the
ruggedized device design that HEXFET power
MOSFETs are well known for, provides the designer
with an extremely efficient and reliable device for use
in battery and load management applications.
●
Trench Technology
●
Ultra Low On-Resistance
●
Dual P-Channel MOSFET
●
Available in Tape & Reel
●
Lead-Free
Description
PD - 95196
D1
D1
D2
D2
G1
S2
G2
S1
Top View
8
1
2
3
4
5
6
7
SO-8
V
DSS
-30V
R
DS(on)
max
21m
@V
GS
= -10V
32m
@V
GS
= -4.5V
I
D
-8.0A
-6.8A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRF7329PBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF7342QPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF7343IPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRF7353D1PBF | FETKY⑩ MOSFET / Schottky Diode |
| IRF7379IPBF | HEXFET㈢ Power MOSFET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| IRF7328PBF_10 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:Trench Technology Ultra Low On-Resistance |
| IRF7328TR | 功能描述:MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> FET - 陣列 系列:HEXFET® 產品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C:3A 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| IRF7328TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8-Pin SOIC T/R |
| IRF7328TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT DUAL PCh -30V 8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| IRF7329 | 制造商:IRF 制造商全稱:International Rectifier 功能描述:HEXFET POWER MOSFET |
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